在半导体技术迅速发展的今天，长鑫存储技术有限公司近日申请了一项重要专利，旨在推进行业内的技术创新。该专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，其核心在于有效降低NMOS和PMOS的阈值电压。这项技术的突破不仅为长鑫存储本身的发展奠定了基础，也将对整个智能设备行业产生深远影响。

在电力电子中，常利用MOS管的饱和区特性将其作为负载电源开关，如下图所示： 上图电路主要由MOSFET与控制部分组成，其中MOSFET可以选择PMOS或NMOS。

2025年1月4日，深圳市晶扬电子有限公司（以下简称“晶扬电子”）宣布获得一项重要专利，名称为“一种能够替代PMOS管的开关芯片”。根据国家知识产权局的信息，该专利的授权公告号为CN118984150B，申请日期为2024年10月。这项技术的取得，对 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示圣邦股份（300661）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种用于钳位PMOS的Vgs的新型钳位结构”，专利申请号 ...