近日，飞锃半导体（上海）有限公司向国家知识产权局申请了一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，旨在攻克当前MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）单元结构存在的可靠性不足及集成度低的问题。此举引发了业界的广泛关注，尤其是在半导体行业持续追求 ...

在新年的开端，扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰电子”）迎来了重磅消息：国家知识产权局正式授予其一项颇具前景的专利，名为“提高体二极管导通性能SiC MOSFET结构”，授权公告号为CN222322090U，申请日期回溯至2024年5月。